Ka-band low noise amplifiers based on InAlN/GaN technologies

机译：基于InAlN / GaN技术的Ka波段低噪声放大器

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Nsele, Séraphin Dieudonné; Robin, Charles; Tartarin, Jean-Guy; Escotte, Laurent; Piotrowicz, S; Jardel, O; Delage, S;
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年度 2015
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1. A Ka-band low-noise amplifier with a coplanar waveguide (CPW) structure with 0.15-um GaAs pHEMT technology [J] . Wu Chia-Song, Chang Chien-Huang, Liu Hsing-Chung, Journal of Semiconductors . 2010,第1期

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2. A Ka-band low-noise amplifier with a coplanar waveguide (CPW) structure with 0.15-um GaAs pHEMT technology [J] . Wu Chia-Song, Chang Chien-Huang, Liu Hsing-Chung, Journal of Semiconductors . 2010,第1期

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4. Ka-band low noise amplifiers based on InAlN/GaN technologies [C] . Nsele S.D., Robin C., Tartarin J.G., International Conference on Noise and Fluctuations . 2015

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